محققان دانشگاه Lehigh در بیت لحم، پنسیلوانیا، اخیرا توانسته اند برای اولین بار افزایش عملکرد هدایت الکتریکی شبکه های نانوسیم تصادفی را که با محدودیت جزئی جهت گیری نانوسیم به دست امده است، شناسایی کنند. با این حال، انچه در مورد نتایج مطالعه خاص است این است که تنظیمات به شدت مرتب شده اند، تنظیمات تصادفی را بیش از حد تنظیم نمی کنند. در مورد نانوسیم های فلزی، جهت گیری تصادفی باعث افزایش هدایت می شود. شماره ماه مه جاری مجله "Scientific Reports Nature" نتایج مطالعه دکتر تانسو و تیم تحقیقاتی او را منتشر کرده است. کار محققان بر توسعه یک مدل کامپیوتری متمرکز است که یک شبکه فلزی نانوسیم را شبیه سازی می کند که روند و پیکربندی نانوسیم های ایده ال را تسریع می کند. مدل گروه تحقیقاتی دکتر تانسو نتایج تحقیقات قدیمی تر از گزارش های تجربی که قبلا انجام شده است را تایید می کند.

در حال حاضر، اکسید قلع ایندیوم (ITO) شایع ترین ماده مورد استفاده برای هادی های شفاف در صفحه نمایش پانل تخت، صفحه نمایش لمسی PCAP، سلول های خورشیدی و دیودهای ساطع کننده نور است. از انجا که علاوه بر هدایت بسیار بالا، شفافیت بالایی نیز دارد. با این حال، تکنولوژی مبتنی بر ITO دیگر به روز نیست. از یک طرف، مواد به ارامی کمیاب می شوند، تولید ان گران است و بسیار شکننده است، که به ویژه برای فن اوری های اینده ما در زمینه الکترونیک انعطاف پذیر است.