三星在第 9 代 V-NAND 中采用钼技术
据 TheElec 报道，三星已选择将 钼整合到其第 9 代 V-NAND 的金属化工艺中。该公司已从 Lam Research 购买了五台钼沉积设备，并计划明年将其数量增加到二十台。与氟化钨（WF6）不同，该工艺中使用的钼前驱体是固体，需要加热到 600 摄氏度才能转化为气体。这种在氧化物-氮化物-氧化物结构中从钨到钼的战略转换提高了晶体管电阻率，使三星能够在其 NAND 生产中堆叠更多层。
对 NAND 材料供应链的影响
三星采用钼的决定标志着 NAND 材料供应链发生了重大变化。该公司正从 Entegris 和 Air Liquide 等供应商处采购钼，默克公司也提供了样品。这一转变预计将影响 WF6 的市场，因为钼的价格比 WF6 高出约十倍。因此，SK Trichem、Hansol Chemical 和 Oceanbridge 等国内半导体材料公司正在开发钼资源，以满足行业需求。
扩大 NAND 以外的应用
除了在 NAND 生产中的应用，钼前驱体预计还将在 DRAM 和逻辑芯片的发展中发挥关键作用。这一扩展凸显了钼在各种半导体技术中的多功能性和日益增长的重要性。随着三星、SK 海力士、美光和 Kioxia 探索钼的应用，半导体行业有望在高性能存储器和逻辑器件领域实现进一步的创新和增效。
作者的评论
钼（Molybdenum，Mo）是一种多面金属，它总是让我惊叹不已。我们在触摸屏中使用钼，使其更耐腐蚀。钼以其卓越的性能而闻名，它具有高熔点、在极热条件下无与伦比的强度、超强的导电性和出色的耐腐蚀性。从强化钢铁到催化化学反应，甚至像三星尖端的 V-NAND 生产那样塑造半导体技术的未来，钼的多功能性是无止境的。
