Ang mga bagong elektronikong aparato tulad ng mga touch screen, nababaluktot na display, mai print na electronics, photovoltaics o solid-state lighting ay humantong sa isang mabilis na pagtaas sa paglago ng merkado ng nababaluktot, transparent na mga konduktor ng kuryente. Alam na ng aming mga mambabasa na ang ITO (indium tin oxide) ay matagal nang tumigil sa pagiging isang solusyon. Gayundin, na ang demand para sa graphene bilang isang kapalit na ITO ay tumaas nang masakit sa mga nakaraang taon. Ang mga kamakailang pagsulong sa synthesis at characterization ng graphene ay nagpapakita na ito ay kawili wili para sa maraming mga elektronikong aplikasyon bilang isang transparent na konduktor.

Dahil napatunayan na ang graphene ay kapaki pakinabang sa lugar na ito, mas marami at mas scalable posibilidad ng isang mataas na kalidad at sa parehong oras murang paraan ng produksyon ay hinahangad. Ang sumusunod na talahanayan ay nagtatala ng pinakamahalagang pamamaraan ng synthesis para sa graphene hanggang sa petsa.| Paraan ng pagbubuo| Prinsipyo| |----|----| | Mechanical alisan ng balat| Sa tulong ng isang malagkit na pelikula, alisan ng balat off ang tuktok na layer ng isang grapayt kristal at ilipat ito sa isang angkop na carrier| | Kemikal alisan ng balat| Sa pamamagitan ng intercalation ng angkop reagents sa pagitan ng mga indibidwal na layer ng isang grapayt kristal, graphene flakes ay nakuha sa solusyon sa tulong ng ultrasonic paggamot| | Pagbabawas ng graphene oxide| Exfoliation ng graphite oxide sa tubig sa graphene oxide, na sinusundan ng pagbabawas ng kemikal upang alisin ang mga oxygenated group| | Epitaxial paglago sa silicon karbid| Thermal pagkabulok ng isang kristal ng silikon karbid sa approx. 1000 degrees C.| | Paghihiwalay ng Mixed Gas Phase (CVD)| Catalytic decomposition ng isang gaseous carbon source (hal. methane) sa graphene monolayers sa isang metalikong suporta (Cu o Ni)|

Sa pamamagitan ng paraan, CVD (chemical vapour deposition) ay isa sa mga pinaka kagiliw giliw na pamamaraan ng graphene synthesis (tingnan ang talahanayan sa ibaba) dahil ito ay gumagawa ng halos perpektong graphene.| Graphene Material| Electr. Kadahilanan| Transparency| |----|----|----| | CVD-G|280 Ω/sq.m.| 80%| | CVD-G|350 Ω/sq|90%| | CVD-G|700 Ω/sq|80%|Sa pamamaraang ito ng synthesis, ang nagresultang transparency na may mababang electrical resistance ay medyo mataas (80%).